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產(chǎn)品資料
首頁 >>> 產(chǎn)品中心 >>>  >>> 分析儀器 >>> EC-80日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀-

日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀-

產(chǎn)品名稱: 日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀-
產(chǎn)品型號(hào): EC-80
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀-
一種簡(jiǎn)單的測(cè)量儀器,只需在探針之間插入樣品即可進(jìn)行測(cè)量
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
通過JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
*由于探頭是固定的,因此可以在購買前從幾種類型中選擇一種。

日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀- 的詳細(xì)介紹

日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀-

 

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)

 

測(cè)量尺寸

?8英寸,或?156x156mm

 

測(cè)量范圍

[電阻率] 1 m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總量程/ 500 um的厚度)
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq 
(*所有探頭類型的總量程)

*每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

帶有手持式探頭的手動(dòng)無損(渦流法)電阻測(cè)量儀

產(chǎn)品名稱:EC-80P(便攜式)

產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制)

  • 手動(dòng)型(單點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng))
  • 手動(dòng)型(單點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng))
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產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 電阻可以通過簡(jiǎn)單地接觸手持式探頭來測(cè)量。
  • 在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
  • 通過JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
  • 可更換的電阻測(cè)量探頭,帶連接器,適用于寬電阻范圍
  • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

 

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)

測(cè)量尺寸

無論樣品的大小和形狀如何,都可以進(jìn)行測(cè)量(但是,大于20mmφ且具有平坦的表面)

 

測(cè)量范圍

[電阻率] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總量程/當(dāng)厚度為500um時(shí))
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總量程)

 

*每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10-1000Ω/□(0.5-60Ω-cm)
(4)S-高:1000-3000Ω/□(60-200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5-500Ω /□(0。 2?15Ω-cm)

 

傳單

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下載

非接觸式(渦流法)電阻率/薄層電阻測(cè)量儀,可通過個(gè)人計(jì)算機(jī)輕松操作

產(chǎn)品名稱:NC-10(NC-20)

產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制)

  • 手動(dòng)型(單點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng))
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產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 通過PC節(jié)省空間,易于操作和數(shù)據(jù)處理
  • 非接觸式渦流方法可實(shí)現(xiàn)無損測(cè)量
  • 由于探頭是可拆卸和可更換的,因此您可以輕松地為每個(gè)范圍的探頭更換它。
  • (*第二和后續(xù)電阻探頭可選)
  • 中心1點(diǎn)測(cè)量
  • 厚度/溫度校正功能(硅晶片)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
 硅基外延離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請(qǐng)聯(lián)系我們)

 

測(cè)量尺寸

3至8英寸,?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸,?210 x 210毫米)

測(cè)量范圍

[電阻率] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總量程/當(dāng)厚度為500um時(shí))
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總量程)

 

*每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

 

DUORES手持式薄層電阻測(cè)量儀(2個(gè)探頭更換用[接觸型和無損測(cè)量探頭])

產(chǎn)品名稱:DUORES

產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制)

  • 手動(dòng)型(單點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng))
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產(chǎn)品特點(diǎn)

易于攜帶和測(cè)量的手持式薄層電阻測(cè)量裝置:DUORES

可以根據(jù)測(cè)量目標(biāo)交換和使用兩種類型的探頭(非破壞性/接觸式)

•世界上地衣臺(tái)可以更換和使用兩種類型的探頭(無損型,接觸型)的便捷型薄層電阻測(cè)量儀 • 
只需放置/應(yīng)用探頭即可自動(dòng)進(jìn)行測(cè)量
•電池連續(xù)工作時(shí)間:24小時(shí)(*電池使用時(shí))
•顯示數(shù)據(jù)項(xiàng)數(shù):多100(*顯示醉心數(shù)據(jù))

•保存的大數(shù)據(jù)數(shù):50,000(*軟件顯示屏)
•測(cè)量數(shù)據(jù)傳輸功能:USB-Mini 
•顯示:3個(gè)顯示單位(Ω/□,S /□,n / m [金屬膜厚度轉(zhuǎn)換]), 4位浮點(diǎn)數(shù)(0.000至9999)

*僅出售身體+非破壞性探針,僅出售身體+接觸探針。

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

薄膜,玻璃,紙材料等 
通常,可以在測(cè)量范圍內(nèi)測(cè)量任何樣品。
•薄膜材料(ITO,TCO等)
•低電子玻璃
•碳納米管,石墨烯材料
•金屬材料(納米線,網(wǎng)格,網(wǎng)格)
•其他

測(cè)量尺寸

無論尺寸和厚度如何,都可以進(jìn)行
測(cè)量(*每個(gè)探頭的測(cè)量點(diǎn)尺寸或更多)

<測(cè)量點(diǎn)>

?無損探棒(渦流型):φ25mm

?接觸探針(4種探針):9mm

測(cè)量范圍

?無損探棒(渦流方式):0.5 -200Ω/ sq 
?接觸式探棒(4探針方式):0.1 -4000Ω/ sq

 

傳單

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非接觸型(脈沖電壓激勵(lì)法)超低電阻量程電阻測(cè)量系統(tǒng)

商品名稱:PVE-80

產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制)

  • 手動(dòng)型(單點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng))
  • 手動(dòng)型(單點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng))
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產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 非接觸式電阻測(cè)量系統(tǒng),采用脈沖電壓激勵(lì)方法作為測(cè)量原理,可在不損壞樣品的情況下進(jìn)行測(cè)量

  • 節(jié)省空間的車身外殼,便攜式可移動(dòng)臺(tái)

  • 通過PC(軟件)輕松進(jìn)行測(cè)量操作和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)/管理

  • 測(cè)量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用(薄層電阻,電導(dǎo)率,電導(dǎo)率)進(jìn)行更改

    *本產(chǎn)品使用本公司與千葉大學(xué)共同開發(fā)的測(cè)量方法:脈沖電壓激勵(lì)法(篆隸號(hào)5386394)。

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬,ITO等)
復(fù)合半導(dǎo)體(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*聯(lián)系我們請(qǐng)給我)

測(cè)量尺寸

?A4尺寸(W300 x D210mm)

測(cè)量范圍

50μ?1mΩ/平方

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日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀-

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