- 作為膜原料的顆粒的能量大,并且對(duì)樣品的粘附力大。形成堅(jiān)固的膜
- 可以在不改變諸如合金和化合物之類的原料的組成比的情況下進(jìn)行成膜。
- 即使是高熔點(diǎn)原料,也難以成膜。
- 只能通過時(shí)間來高精度地控制膜厚度。
- 通過引入反應(yīng)性氣體,可以形成氧化物和氮化物6:即使在大面積上也可以形成均勻的膜。
- 蝕刻可以通過將樣品放置在目標(biāo)位置來進(jìn)行。
- 成膜速度通常較慢(取決于方法)
各種濺射方法
引入的原理是直流濺射,但是已經(jīng)設(shè)計(jì)出各種方法來彌補(bǔ)該缺點(diǎn)。以下是典型的濺射方法。
- 直流濺射-在兩個(gè)電極之間施加直流電壓的方法
- 射頻濺射-如何施加交流電(高頻)
- 磁控濺射-一種通過在磁體的靶側(cè)產(chǎn)生磁場(chǎng)來從樣品中分離血漿的方法。
- 離子束濺射-一種在與靶標(biāo)或樣品不同的位置產(chǎn)生離子并加速向靶標(biāo)施加的方法。
此外,還有相反的目標(biāo),用于ECR(電子回旋加速器)和半導(dǎo)體制造的準(zhǔn)直儀以及長(zhǎng)距離方法。另外,已經(jīng)開發(fā)了用于磁控管方法的各種方法,其中改變了靶的形狀和磁體的布置。
直流濺射
這是初設(shè)想的濺射方法。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參見“什么是濺射?原理”。
DC濺射具有許多優(yōu)點(diǎn),例如結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但是存在以下問題。
- 必須引起輝光放電,并且設(shè)備內(nèi)部的真空度相對(duì)較低,這會(huì)受到殘留氣體的影響。具體而言,膜與氣體反應(yīng),或者氣體被捕集在膜中。
- 氣體處于分為離子和電子的等離子體狀態(tài),樣品也暴露于高溫等離子體中。由于溫度上升而損壞。
- 當(dāng)原料(靶)是絕緣體時(shí),離子沉積在表面上,并且放電停止。
如何使用飛濺
隨著RF飛濺物的發(fā)展,可以形成各種物質(zhì)以及金屬的薄膜,因此被廣泛使用。
- 磁盤(垂直磁記錄介質(zhì)的生成)
- CD / DVD(記錄面上的金屬膜)
- 半導(dǎo)體(電路產(chǎn)生。存儲(chǔ)器[鐵電膜],各種傳感器)
- 磁頭(用于高密度記錄的硬盤。新的使用多層膜的磁頭)
- 噴墨打印機(jī)頭
- 液晶顯示裝置(透明電極的產(chǎn)生)
- 有機(jī)EL顯示裝置(透明電極的產(chǎn)生)
- 高亮度LED
- 電子顯微鏡的樣品制備(通過導(dǎo)電膜防靜電)
- 光催化薄膜
- 分析(確定通過濺射跳過的表面物質(zhì),而不是成膜的物質(zhì))
- 納米機(jī)(形狀記憶合金膜)
- 在塑料和玻璃上產(chǎn)生電磁屏蔽膜
臺(tái)式快速涂布機(jī)SC系列緊湊型濺射設(shè)備,用于制備導(dǎo)電薄膜
使用緊湊且易于使用的設(shè)備可以輕松生產(chǎn)各種金屬的薄膜。請(qǐng)參見此處進(jìn)行
SEM / TEM等預(yù)處理。